Önümiň esasy aýratynlygy: Ýarymgeçirijili plitalary tawlamak üçin lazer bilen gyzdyrmak

Plastinkany ýumşatmak ýarymgeçiriji önümçilikde möhüm proses bolup, garyndylary işjeňleşdirmegi, torlary dikeltmegi we örän ýakymsyz birleşme (USJ) emele getirmegi öz içine alýar. Adaty peç ýumşatmak we çalt termal gaýtadan işlemek (RTP) ýokary termal býujetlerden, garyndylaryň diffuziýasynyň gowşak gözegçilik edilmeginden we ýeterlik derejede deňsizlikden ejir çekýär, bu bolsa olary 7 nm, 5 nm we ondan soňky ösen tehnologiýa düwünleri üçin, esasanam Gate-All-Around (GAA) arhitekturalary we 3D NAND fleş-ýady üçin ýeterlik däl edýär. Geçiji ýokary energiýaly şöhlelendirmesi, mikron ölçegli giňişlik takyklygy we minimal termal diffuziýasy bilen lazer esasyndaky plastina ýumşatmak bu talap ediji önümçilik talaplaryny kanagatlandyrmak üçin indiki nesil esasy proses hökmünde peýda boldy.

Lazer bilen gyzdyrmagyň esasy prinsipi

“Wave Optics” lazer gyzdyryjy kellesi plastina ýüzlerini takyk şöhlelendirmek üçin ýokary energiýaly, termal taýdan deň derejeli lazer şöhlelerini berýän hususy optiki dizaýna eýedir. Ýaşyl lazer kremniý esasly materiallar (SiC bilen birlikde) bilen ajaýyp siňdiriş deňleşdirmesini hödürleýär, bu bolsa plastina zeper ýetirmezden ýokary netijeli termal işleme mümkinçiligini berýär. Bu bolsa ion implantasiýa edilen zeper ýeten gatlagyň täzeden kristallaşmagyna we netijeli garyndy aktiwleşdirilmegine ýardam berýär. Soňra substratyň ýokary termal geçirijiligi örän çalt sowadyş mümkinçiligini döredýär, bu bolsa tor gurluşyny doňdurýar we garyndy diffuziýasyny basyp ýatyrýar. Bu proses ýokary aktiwleşdiriş netijeliligi we dik (keskin) garyndy profili bilen örän ýakymsyz birleşmeleri üstünlikli döredýär.

Lazer bilen gyzdyrmak wafli gaýtadan işlemegiň netijeliligini ýokarlandyrmak üçin möhümdir

1. Şöhle deňligi: Ýassy ýokarky şöhle nokadynyň energiýa deňligi 95% -den geçýär (adaty), ýerli ereme ýa-da ýetmezçilik bilen ýumşama aradan aýrylýar.
2. Energiýa durnuklylygy: Çykyş energiýasynyň üznüksiz üýtgemeleri 2% -den aşak, bu bolsa waferden wafere we tapgyrdan tapgyra ajaýyp yzygiderliligi üpjün edýär.
3. Ýüz şekiliniň takyklygy: Optiki bölekler nanometr ölçegli PV/RMS gymmatlyklaryna eýe bolup, tolkun frontynyň bozulmagyny gowy gözegçilikde saklaýar we gyzgyn nokatlaryň zyýanynyň öňüni alýar.
4. Fokus çuňlugy we şöhle şekillendirme: Fokus çuňlugynyň sazlanyp bilinmegi, şöhle integratorynyň gomogenizasiýa bilen utgaşdyrylmagy uly diametrli plitalaryň doly meýdanda skanirlenmegini goldaýar.
5. Tolkun uzynlygynyň deňleşdirilmegi: Energiýa sarp edilişiniň netijeliligini ýokarlandyrmak üçin kremniýiň we üçünji nesil ýarymgeçirijileriň (meselem, SiC, GaN) ýokary siňdirişli tolkun zolaklary üçin optimizirlenen.

Adaty ýumşatma bilen deňeşdirilende üç esasy artykmaçlyk

1. Goşundy diffuziýasynyň ajaýyp basylyp ýatyrylmagy - Termal täsir nanosekunddan millisekunda çenli aralykda, goşundy diffuziýasynyň nola golaý bolmagy bilen çäklendirilýär, bu mümkinçilik peçde ýa-da RTP arkaly elýeterli däl.

2. Pes termal býujet we enjamyň minimal zeperlenmegi - Diňe plastinkanyň ýüzü wagtlaýyn ýokary temperatura başdan geçirýär, netijede substratyň ýa-da enjam gurluşlarynyň termal deformasiýasyna we ýüzleriň arasyndaky zaýalanmalara ýol berilmeýär.

3. Takyklyk bilen saýlama meýdanyny ýumşatmak - Sazlanyp bilýän mikron ölçegli şöhle nokatlary 3D integrasiýa we dürli integrasiýa edilen enjamlar üçin ýerli ýumşatmany goldaýar.

Ulanyş ssenarileri

Ulanylyşyna çeşme/drenaj işjeňleşdirmesi, kanal abatlaýyş we ösen logika (GAA/CFET), DRAM/3D NAND, SiC/GaN güýç enjamlary, SOI we mikro/nano enjamlary üçin omik kontaktly ýumşatma girýär. Lazerli ýumşatma öndürijiligiň we enjamyň işiniň bir wagtyň özünde gowulanmagyny üpjün edýär.

Lazer bilen taýlandyrmak, wafer işlemegini global (ýapyk) taýlandyrmadan takyk ýerli taýlandyrmaga geçirýär. Onuň güýçli optik tehnologiýasy ösen ýarymgeçiriji düwünleriň dowamly ölçeklenmegini we öndürijilikdäki öňegidişlikleri goldaýar.

Önümiň aýratynlyklary sahypasy